Copper germanide Schottky contacts to silicon and electrically active defects in n-type 6H-SiC and 4H-SiC epitaxial layers
- Författare
- James P. Doyle
- (James P. Doyle.)
- Genre
- theses
- Språk
- Engelska
| Förlag | År | Ort | Om boken | ISBN |
|---|---|---|---|---|
| 1997 | Sverige, Stockholm | 70 sidor. diagr., 24 cm |