GaN Transistor Modeling for RF and Power Electronics: Using The ASM-HEMT Model

Författare
Yogesh Singh Chauhan
Språk
Engelska
Förlag År Ort Om boken ISBN
Elsevier Ltd. 2024 Utgivningsland okänt / Ej specificerat
Elsevier Science & Technology 2024 Utgivningsland okänt / Ej specificerat, Cambridge, MA 1 online resource (262 pages)