GaN transistor modeling for RF and power electronics. - using the ASM-HEMT model
- Författare
- Yogesh Singh. Chauhan
- (Yogesh Singh Chauhan, Ahtisham Ul Haq Pampori, Sheikh AAmir Ahsan.)
- Språk
- Engelska
| Förlag | År | Ort | Om boken | ISBN |
|---|---|---|---|---|
| Elsevier Science & Technology | 2024 | Utgivningsland okänt / Ej specificerat, Cambridge, MA | 1 online resource (262 pages) |