The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices

Författare
Zhiqiang. Li
(Zhiqiang Li.)
Språk
Engelska
Förlag År Ort Om boken ISBN
Springer Berlin Heidelberg, Imprint: Springer 2016 Tyskland, Berlin, Heidelberg XIV, 59 sidor. 52 illus., 49 illus. in color. online resource. 978-3-662-49683-1